Onsemi FDMS86202ET120 Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 102 A, 0.006 Ohm

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: Power-56-8
Transistorpolung: N-Channel
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 120 V
Id - Drain-Gleichstrom: 120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Qg - Gate-Ladung: 45 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 187 W
Kanalmodus: Enhancement
Handelsname: PowerTrench Power Clip
Höhe: 0.8 mm
Länge: 3.3 mm
Serie: FDMS86202ET120
Transistorart: 1 N-Channel
Breite: 3.3 mm
Marke: onsemi / Fairchild
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 44 S
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFET
Anstiegszeit: 6 ns
Unterkategorie: MOSFETs
Regelabschaltverzögerungszeit: 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 21 ns
Gewicht pro Stück: 56,500 mg

Datecode: 2018