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Onsemi FDBL0260N100, Leistungs-MOSFET (500 Stück)

Onsemi FDBL0260N100, Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage, 500 Stück

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500 Stück Onsemi FDBL0260N100, Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Transistorpolung: N-Channel
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 100 V
Id - Drain-Gleichstrom: 200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Qg - Gate-Ladung: 83 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Pd - Verlustleistung: 250 W
Kanalmodus: Enhancement
Handelsname: PowerTrench
Konfiguration: Single
Höhe: 2.4 mm
Länge: 10.48 mm
Serie: FDBL0260N100
Transistorart: 1 N-Channel
Breite: 9.9 mm
Marke: onsemi / Fairchild
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 170 S
Abfallzeit: 19 ns
Produkt-Typ: MOSFET
Anstiegszeit: 34 ns
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: MOSFETs
Regelabschaltverzögerungszeit: 47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
Gewicht pro Stück: 850,050 mg

Datecode: 2018

Technische Angaben zu: Onsemi FDBL0260N100, Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0021 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage, 500 Stück

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